1117SJFT

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产品详细

○ 加工定制:

○ 型号:1117SJFT

○ 材料:锗(Ge)

○ 击穿电压VCEO:45V

○ 集电极最大耗散功率PCM:50

○ 结构:平面型

○ 封装材料:表面封装

○ 品牌:ADD

○ 应用范围:达林顿

○ 极性:NPN型

○ 集电极最大允许电流ICM:300

○ 截止频率fT:320

○ 封装形式:贴片型

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品牌/型号

ADD/1117SJFT

加工定制

应用范围

达林顿

极性

NPN型

击穿电压VCEO

45V(V)

集电极允许电流ICM

300(A)

集电极耗散功率PCM

50(W)

截止频率fT

320(MHz)

封装形式

贴片型

封装材料

其他

材料

锗Ge

结构

平面型