供应SUPERPRO/5000编程器

特点:


即将支持42000多种可编程器件(注①), 广泛性*。

读写程速度*, 编程+校验一片1Gb NAND FLASH Samsung KAP21WP00M 存储器 *须108秒，ST M29DW128G 128Mb *R FLASH *需10.9秒。芯片烧写速度平均*2~10倍。

144脚*驱动电路。144脚以内同封装不同型号芯片*一种适配器。通用适配器*快速新器件支持。

直接支持1.2V到5V各种电压器件。

更*的波形驱动电路**高的烧写*。 配合IC厂家认证的算法,无论是低电压器件、二手器件还是低品质器件均能**高的编程良品率。编程结果可选择高低双电压校验,*结果*稳固。

联机模式下PC通过U*2.0口(*)控制编程器,调试方便适合研发;脱机模式下编程器依赖自身的CPU、LCD显示器、可移动存储器（标准CF卡）脱离PC*运行,操作便捷,易于扩展,*适合工厂现场大批量生产。CF卡根据容量大小*多可以存储100多个工程文件。

自动检测芯片错插和管脚接触不良,避免损坏器件。

完善的过流保护功能,避免损坏编程器。

丰富的软件功能简化操作,*效率,避免出错,对用户关怀备至。工程（Project）将用户关于对象器件的各种操作、设置,包括器件型号设定、烧写文件的调入、配置位的设定、批处理命令等保存在工程文件中,每次运行时一步进入写片操作，*降低误操作概率。工程文件可设**资料外泄。批处理（Auto）命令允许用户将擦除、查空、编程、校验、加密等常用命令序列随心所欲地组织成一步完成的单一命令。量产模式下一旦芯片正确*插座CPU即自动启动批处理命令,无须人工按键。标准的序列号生成和*功能并可接受用户**序列号生成器。日志文件为质量追踪提供便利。

支持Windows XP/Vista操作系统。




备注：
①支持器件将不少于SUPERPRO/3000U.

芯片型号	编程+校验 (秒)	与SP3000U比较	类型
K8P6415UQB	9.1(P)+2.3(V)= 11.4(s)	25.1(P)+16.8(V)=41.9(s)	64Mb *R FLASH
AM29DL640G	20.5(P)+2.3(V) =22.8(s)	38.5(P)+11.8(V)=50.3(s)	64Mb *R FLASH
K9F1208U0B	35.2(P)+32.2(V)=67.4	188.6(P)+179.2(V)=367.8	512Mb NAND FLASH
KAP21WP00M	53.2(p)+54.8(V)=108	不支持	1Gb NAND FLASH
K9F1G08U0A	60.4(P)+56.1(V)=116.5	362.3(P)+359.3(v)=721.6	1Gb NAND FLASH
AT28C6*	0.8(P)+0.1(V)= 0.9(s)	1.2(P)+0.8(V)= 2.0(s)	64Kb EEPROM
24AA128	2.7(P)+1.8(V)= 4.5(s)	5.0(P)+4.0(V)= 9.0(s)	128Kb 串行EEPROM
QB25F640S33B60	29.0(P)+14.4(V)= 43.4(s)	55.2(P)+41.4(V)= 96.6(s)	64Mb 串行EEPROM
AT89C55WD	2.5(P)+0.4(V)=2.9(s)	3.3(P)+1.0(V)=4.3(s)	20KB FLASH MCU
ST72F32*K*5	2.6(P)+1.3(V)=3.9(s)	18(P)+7(V)=25(s)	32KB FLASH MCU
*89F538	1.21(P)+0.93(V)=2.14(s)	12(P)+6(V)=18(s)	32KB FLASH MCU
Upd78F9234	2.6(P)+1.3(V)=3.9(s)	38(P)+16(V)=54(s)	16KB FLASH MCU

•       XELTEK不定期地增加对新器件的编程支持并在网上更新软件;
           质量*: