图文详情
产品属性
相关推荐
[产品特性]
[典型应用]
[产品概述]
XG04功率模块(IGBT PM)是一种体积小,集成度高、体积小、更易使用的功率器件,适用于马达控制、逆变、UPS等。内置双管(半桥)IGBT逆变单元电路,栅极与外壳一体化塑封,控制栅极电源+15VDC,采用新型散热绝缘材料双DCB(Direct Copper Bonding)作绝缘基片,增强抗应力能力。
[外形尺寸]
[安装孔位]
[极限参数]
符号 |
项 目 |
条 件 |
额定值 |
单位 |
VCE |
集电极-发射极耐电压 |
G、E极短路 |
1200 |
V |
VGE |
栅极-发射极耐电压 |
C、E极短路 |
±20 |
V |
IC |
集电极电流 |
TC=80℃ |
75 |
A |
ICP |
集电极电流(峰值) |
Tj=125℃ |
150 |
A |
Tpsc |
短路保护时间 |
Vcc=900V,VCEM≤1200V VGE≤15V,TVj≤125℃ |
10 |
μs |
Viso |
引出片与底板间介质耐压 |
50Hz/60Hz AC 1min. |
2500 |
V |
Tj |
结温 |
- |
-40~+150 |
℃ |
Tstg |
贮存温度 |
- |
-40~+125 |
℃ |
[电气参数]
符号 |
项 目 |
条 件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 | ||
ICES |
集电极-发射极漏电流 |
VGE=0V,VCE=VCES |
- |
- |
1.0 |
mA | ||
IGES |
栅极-发射极漏电流 |
VGE=±20V,VCE=0V |
- |
- |
0.2 |
μA | ||
VGE(th) |
栅极-发射极阈值电压 |
Ic=3mA, VCE=VGE,TVj=25℃ |
5 |
6.2 |
7.0 |
V | ||
VCE(sat) |
集-射极饱和压降 |
Ic=75A,VCE=VGE,TVj=25℃ |
- |
1.9 |
- |
V | ||
ton tr toff tf |
开通延迟时间 开通上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 |
Vcc=600V,Ic=75A VGE1=VGE2=15V, RG=15Ω,L=60nH Inductive load |
- |
160 65 500 70 |
- |
ns | ||
VEC |
二极管正向压降 |
Ic=-60A,TVj=125℃ |
- |
2.3 |
- |
V | ||
trr |
二极管反向恢复时间 |
Ic=-1A, di/dt=-300A/μs |
- |
40 |
- |
ns | ||
Eon |
导通损耗
|
cc=600V,Ic=75A VGE1=VGE2=15V, RG=15Ω,L=60nH Inductive load |
TVj=25℃ |
- |
7.5 |
- |
||
TVj=125℃ |
- |
10.3 |
- |
mJ | ||||
Eoff |
关断损耗 |
cc=600V,Ic=75A VGE1=VGE2=15V, RG=15Ω,L=60nH Inductive load |
TVj=25℃ |
- |
4.9 |
- |
mJ | |
TVj=125℃ |
- |
7.8 |
- |
mJ | ||||
ISC |
电路电流 |
tpsc≤10us,VGE=15V, TVj=125℃,Vcc=900V,VCEM≤1200V |
- |
420 |
- |
A |
[热阻]
符号 |
项 目 |
条 件 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
Rth(j-c) |
管芯至底板 热阻 |
IGBT单元 |
— |
— |
0.31 |
℃/W |
Rth(j-c) |
FRED单元 |
— |
— |
0.61 | ||
Rth(c-t) |
接触热阻 |
底板到散热器,涂导热硅脂 |
— |
— |
0.08 |
℃/W |
[机械特性]
符号 |
项 目 |
条 件 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
— |
安装力矩 |
安装散热部位,螺栓:M6 |
3 |
- |
5 |
N·m |
— |
安装力矩 |
安装输出端子部位,螺栓:M5 |
2.5 |
- |
5 |
N·m |
— |
重量 |
— |
— |
180 |
— |
g |
[实物图片]
[使用注意事项]
1.栅极驱动
a) 栅极驱动电压越高,饱和压降和导通损耗越低,但会降低短路承受能力,建议栅极驱动电压值15V×(1±10%)。
b) IGBT关断过程,栅极加负偏置电压能提高抗干扰能力,降低关断损耗,建议负偏置范围-5V~10V。
c) 栅极电阻大小不影响IGBT输出压降,但会影响开关时间,电阻越大开关时间越长,相应损耗也大,反之则减小,但栅极电阻过小,容易引起震荡。
d) 连接栅极的控制线尽量短,建议使用双绞线,最好是用PCB板直接焊接,尽可能消除感应噪声的影响。
e) 栅极不能悬空,一旦悬空,CE极之间不能加电压,否则会导致模块损坏,使用中建议在栅极和发射极之间并连一只10K的电阻。
2.安装
a) 防静电:
IGBT模块的门极对静电等非常敏感。人体等所携带的静电以及栅极-发射极间施加过高电压(±20V以上),都可能导致IGBT因栅极击穿而损坏。因此在使用产品是遵守以下所述的注意点:
第一、使用模块时,先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻(1MΩ左右)接地放电后,再在接地的导电性垫板上进行操作。
第二、使用IGBT模块时,要拿封装主体,不要直接触碰端子(特别是控制端子)部。
第三、对IGBT端子进行锡焊作业的时候,为了避免由烙铁,烙铁焊台的泄漏产生静电外加到IGBT上,烙铁前端等要用十分低的电阻接地
第四、IGBT模块是在用IC泡沫材料等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的,这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除
b) 导热硅脂:
模块安装时,模块底板和散热器的接触面应均匀的涂上0.1mm左右厚的导热硅脂,导热硅脂不是越多越好,而是在保证安装后,接触面无空洞的前提下,越少越好。
c) 安装扭矩:
安装扭矩过小,模块与散热器会发生松动,使得接触热阻过大,导致产品散热不良而失效,但扭矩过大会损坏产品,故请按推荐值安装。安装方法,应按预拧紧-拧紧的步骤进行安装,预拧紧的扭矩为最大扭矩的1/3左右,拧紧顺序按先中间后两边和对角线原则。
d) 夹紧方式:
IGBT模块安装时,请以推荐的夹紧力矩范围予以夹紧。推荐的力矩在说明书中有记载,请另行参考。如果该力矩不足,可能使接触热阻变大,或在动作中产生松动。反之,如果力矩多大,可能引起外壳破坏。第一次预紧时用的力矩为规程1/3的力矩;第二次才上到规程力矩.
e) 安装方向:
将IGBT模块安装在由挤压模制作的散热器上时,建议IGBT模块的安装与散热器挤压方向平行。这是为了减小散热器变形的影响。
3. 贮存、搬运
a) IGBT模块的保管存放场所以温度为5~35℃,湿度为45~75%最为适宜。
b) 避开产生腐蚀性气体的场所和尘埃多的场所。
c) 在温度急剧变化的场所,半导体电子设备的表面容易结露,因此请避开这类场所,将其保管在温度变化小的地方。
d) 保管时,请不要在IGBT模块上施加外力或负荷。特别是在叠放时会不经意中施加负荷。另外,重物请不要放在模块上。
e) 模块的外部端子请在未经加工的状态下保管。
f) 临时放置模块时,请选择不易产生静电的容器。
g) 产品搬运时请不要受到冲击或使其跌落。
h) 多个IGBT模块装箱搬运时,为了不使接触电极面等碰伤,请在模块间用柔软的衬垫互相间隔。
4. 其它注意事项
a) 请在模块在仅使用FWD而不使用IGBT时,不使用的IGBT的GE间请加-5V以上的反偏压。反偏压不足时,IGBT可能由于FWD反向恢复时的dv/dt引起误触发而损坏。
b) 模块的端子部位测定驱动电压,并确认外加了既定的电压。
c) 请通过产品的端子测定开通、关断时的脉冲电压等。
d) 使用时,请避开产生腐蚀性气体的场所。
e) 请在产品的绝对最大额定值范围内使用,一旦超出绝对最大额定值,可能损坏产品。
f) 万一发生意想不到的事故而损坏元件,请务必在电源和模块之间安装保险丝或者自动断路器,防止次生性破坏。
g) 请在功率周期寿命内使用本品。
SKM75GB128D
SEMIKRON(西门康)
普通型