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IGBT管的万用表检测方法
IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻,对于正常的 IGBT 管(正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时, e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接 c 极,黑笔接 e 极,若所测值在 3 . 5k Ω l 左右,则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管,若所测值在 50k Ω左右,则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下, IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 . 5V 。
综上所述,内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。
FB20N50K,FB18N50K,IRFB20N50K,IRFB18N50K
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
散装
供应500V,13A.150W,N-CH,MOS管 IRFP450
供应MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB - IRF840
供应N-ch 75V 80A 0.0095Ω MOS场效应管STP75NF75
供应200V,18A,125W N-CH MOS管IRF640N
供应40V,35A,N-Ch增强型场效应MOS管D4186
供应单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
供应IR2112 光耦场效应管绝缘垫光耦场效应管
供应MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB/irf830
供应900V,9A N-CH MOS管K3878
供应30V.3.5A DUAL N-CH MOS管IRF9956