TCXO的频率老化率为：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十
年）（除特殊情况，TCXO很少采用每天频率老化率的指标，因为即使在实验室的条件下，温
度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化，因此这个指标失
去了实际的意义）。OCXO的频率老化率为：±0.5ppb～±10ppb/天（加电72小时后），±
30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
⒌频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的
最小峰值改变量。
说明：基准电压为+2.5V，规定终点电压为+0.5V和+4.5V，压控晶体振荡器在+
0.5V频率控制电压时频率改变量为-110ppm，在+4.5V频率控制电压时频率改变量为+
130ppm，则VCXO电压控制频率压控范围表示为：≥±100ppm（2.5V±2V）。
⒍压控频率响应范围：当调制频率变化时，峰值频偏与调制频率之间的关系。通常用规
定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。
说明：VCXO频率压控范围频率响应为0～10kHz。
⒎频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量
度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。
说明：典型的VCXO频率压控线性为：≤±10%，≤±20%。简单的VCXO频率压控线性计
算方法为（当频率压控极性为正极性时）：
频率压控线性=±（（fmax-fmin)/ f0）×100%
fmax：VCXO在最大压控电压时的输出频率
fmin：VCXO在最小压控电压时的输出频率
f0：压控中心电压频率
⒏单边带相位噪声￡（f）：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之
比。
