功率肖特基二极管

　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

　　典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

　　肖特基二极管优点：

　　SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

　　产品详细参数：

　　◆塑料包装已UL可燃性分类94V-0

　　◆高浪涌过载额定值：30A峰值

　　◆节省印刷电路板空间

　　◆高温焊接保证：260℃/ 10秒机械数据

　　◆案例：模压塑料机身超过钝化路口

　　◆码头：每MIL-STD-750,方法2026焊镀信息

　　◆安装位置：任意

　　◆重量：0.078盎司，0.22克

　　综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

　　苏州固锝电子已经成为国内半导体分立器件行业最大的二极管制造商,主要产品包括整流二极管芯片、轴型硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、单列桥堆、表面安装玻封和表面安装塑封二极管、金属玻璃封装大功率整流管等，共有50多个系列、1500多个品种。

　　公司积极引进先进技术和生产流水线，并不断加强与威旭、东芝、索尼、菲利浦、松下等国际知名公司的合作，大大提高了在技术和设备方面的竞争力。公司通过引进美国通用半导体公司等国外知名厂商的大量技术人才，并聘用日本专家作为公司的常年技术顾问，固锝电子已经建立起完善的技术研发体系，拥有片式微型堆、半导体器件及其制造方法、二极管制造方法等多项发明专利及实用新型专利。目前，公司产品质量和工艺技术均已达到国内一流和世界先进水平。