S20U150CT肖特基二极管

S20U150CT肖特基二极管特点：

‧低功耗，高效率

‧低正向压降

‧高正向浪涌能力

‧高频工作

‧优良的高温稳定性

‧沟槽MOS肖特基技术

S20U150CT肖特基二极管机械数据：

‧案例：TO-220

‧极性：标

‧重量：的逼近1.86克

S20U150CT肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

最大额定值和电气特性,在25℃的环境温度，除非另有规定等级。单相半波，60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20％

　　 公司成立於1985年，创立CT自有品牌以各系列之Rectifier Diode为主力产品，从晶圆设计开发 >封装制造 >成品测试 >产品销售结合於一体；工厂座落於山东淄博(员工计有1100人)，目前销售网点有台北汐止.深圳.苏州.山东.长沙等处(员工计有70人). 本着以客为尊之服务精神，持续强化人员专业素质， 并提供更多之附加服务价值， 以提升竞争力，为因应AC-DC ， DC-DC ， DC-AC等电源产业客户采购之整合配套需求，公司也规划代理相应之产品，目前代理品牌有 冠西(COSMO : Photo couple ..)， 奥士特 ( Orister : PWM- IC ， LDO ..) AUK(高压MOSFET，BJT ..) ， SEMIHOW(高压MOSFET) 尼克森 (Niko-semi 低压MOSFET ) ， MEGAWIN(MCU，LED DRIVER)…等。