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ME2100 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的 PFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺,极大地改善了开关电路固有的噪声问题,减小对周围电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V(按 0.1V 的级差),振荡频率为 100KHz(典型值)。对内置开关晶体管的 ME2100Xxx,组成 DC/DC 升压电路只需接三个外围元件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。带 CE 端 的ME2100Cxx,具有关断功能,可使芯片功耗达到。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备。特点:选型指南: 应用:ME2100 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的 PFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺,极大地改善了开关电路固有的噪声问题,减小对周围电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V(按 0.1V 的级差),振荡频率为 100KHz(典型值)。对内置开关晶体管的 ME2100Xxx,组成 DC/DC 升压电路只需接三个外围元件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。带 CE 端 的ME2100Cxx,具有关断功能,可使芯片功耗达到。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备。z 极低的静态电流:典型值为 6μAz 只需少量的外接元件:仅一只肖特基二极管、一只电感和一只电容z 低纹波及低噪声z 工作电压范围:0.9V~6.5Vz 带载能力强:当Vin=3.0V且Vout=3.3V时 Iout=300mAz 输出电压范围:2.0V~7.0V(步长 0.1V)z 输出电压高精度:?2.5%z 低启动电压:值为 0.9V(输出电流为 1mA 时)z 工作频率:100KHz(典型值)z 高效率:典型值为 85%z 封装尺寸:SOT-23,SOT-89 DC-DC升压IC DC-DC升压IC DC-DC升压IC DC-DC升压IC

特点:选型指南: 应用:ME2100 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的 PFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺,极大地改善了开关电路固有的噪声问题,减小对周围电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V(按 0.1V 的级差),振荡频率为 100KHz(典型值)。对内置开关晶体管的 ME2100Xxx,组成 DC/DC 升压电路只需接三个外围元件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。带 CE 端 的ME2100Cxx,具有关断功能,可使芯片功耗达到。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备。z 极低的静态电流:典型值为 6μAz 只需少量的外接元件:仅一只肖特基二极管、一只电感和一只电容z 低纹波及低噪声z 工作电压范围:0.9V~6.5Vz 带载能力强:当Vin=3.0V且Vout=3.3V时 Iout=300mAz 输出电压范围:2.0V~7.0V(步长 0.1V)z 输出电压高精度:?2.5%z 低启动电压:值为 0.9V(输出电流为 1mA 时)z 工作频率:100KHz(典型值)z 高效率:典型值为 85%z 封装尺寸:SOT-23,SOT-89 

型号/规格

ME2100A33M3G

品牌/商标

ME

封装

SOT/SOP

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全新原装

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