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产品详情:
HK12B5在WE(写使能)被禁止(high)且CE(片选)被选中(Low)并且OE(读信号)被使能(Low)执行一次读循环。23个地址输入线(A0-A22)指定的*的地址定义将要被访问。*后输入信号稳定后8位数据输出驱动器将在tACC时序内得到*数据。
写模式
地址输入稳定后,HK12B5在WE和CE信号处于激活(低电平)状态为写模式。*后出现的CE或WE下降沿将决定写循环的开始,写循环终止于CE或WE前边的上升边沿。在写循环内*地址输入*须保持*。在下一个循环能被初始化前,WE写信号*须将高电平保持*少记录时间(tWR).写循环期间OE控制信号应当保持失效(高电平),避免总线冲突,如果输出总线已经*(CE和OE激活),则写信号可以在tODW时序内从下降边沿开始禁止输出。
数据保存模式
HK12B5为Vcc提供*功能,当VCC大于4.5伏或4.75伏,写保护为4.35伏或4.75伏。当Vcc掉电时保存数据,没有任何附加支持电路的需要。HK12B5通常*Vcc。如果电源电压降低,RAM自动写保护其本身。*对RAM的输入变为“不接收”,*输出为高电阻。当Vcc降*大约3.0伏时,电源转换电路将用锂电源向RAM供电保存数据。电压升高时,当Vcc升高到大约3.0伏时,电压转换电路将外部Vcc与RAM连接。正常RAM操作在Vcc*过4.5伏或4.75伏后能够重新开始。
出厂状态及运输
HK12B5从宏空半导体出厂均*满电量。运输及使用中的重力加速度不应*出1.5G否则影响寿命。
各项指标
① *大范围
各脚对地电压 -0.3~5.0V
储存温度 -40℃~70℃
焊接温度 200℃不能*过5秒
操作温度 0℃~55℃ 准工业级0℃~70℃
工业级-40℃~70℃
品牌:HK
年份:13
封装:DIP
价格:面议
原装正品货,*十
长期现货供应,价格市场*优惠
1
存储器
HK12B5
*
HK
Dip
2.0排针排母连接器
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