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64Mx16移动DDR SDRAM
产品特点 • VDD / VDDQ = 1.8V / 1.8V •双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输 •双向数据选通( DQS ) •四家银行的操作 •差分时钟输入( CK和CK ) • MRS周期与解决关键程序 - CAS延迟( 3 ) - 突发长度(2 ,4,8 ,16) - 突发类型(顺序&交错) • EMRS周期地址重点项目 - 部分阵列自刷新(全, 1/2,1/4阵列) - 输出驱动强度控制(全, 1/2,1/4 , 1/8) •内部温度补偿自刷新 •除了数据& DM所有输入进行采样,系统时钟( CK )的正向优势。 •数据选通信号, DM为屏蔽的两端数据的I / O事务。 •边沿对齐的数据输出,中心对齐的数据输入。 •无DLL ; CK到DQS不同步。 • LMD , UMD只写屏蔽。 • 自动刷新占空比 - 7.8us为-25 〜85
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