FQP3P50 MOSFET

制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:2.7 ARds On-漏源导通电阻:4.9 OhmsVgs - 栅极-源极电压:30 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:85 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:QFET封装:Tube高度:16.3 mm 长度:10.67 mm 系列:FQP3P50 晶体管类型:1 P-Channel 类型:MOSFET 宽度:4.7 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值:2.35 S 下降时间:45 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:56 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:35 ns 典型接通延迟时间:12 ns 单位重量:1.800 g