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FGH60N60UFD: IGBT,650V,20A,1.8V,TO-247,低 VCE(ON),场截止
安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
特性:
高电流能力
低饱和电压: VCE(sat) = 1.9V @ IC = 60A
高输入阻抗
快速开关: EOFF =14uJ/A
符合 RoHS 标准
应用:
发电和配电
FGH60N60UFDTU-F085 600V, 60A Field Stop IGBT Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 60 A • High Input Impedance • Fast Switching • RoHS Compliant • Qualified to Automotive Requirements of AEC-Q101
FGH60N60UFDTU
ON
TO-247AB-3
21+
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