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FQB5N90TM ON 进口 TO-263-3 MOSFET 900V N-Channel QFET
FQB5N90: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,5.4 A,2.3 Ω,D2PAK
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
特性:
5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(MAX)@VGS = 10 V, ID = 2.7A栅极电荷低(典型值:31nC)
低 Crss(典型值13pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准
RoHS compliant
FQB5N90TM
ON(安森美)
TO-263-3
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
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