供应赛米控IGBT模块SKIIP2413GB123-4DK1277

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IGBT模块;可控硅模块;整流桥模块;二极管模块;电容;晶闸管;IPM模块;半导体功率模块;PLC模块,风机,传感器,驱动板,主控板,电源板,变频器配件

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SKiiP1513GB172-3DW V3
SKiiP1803GB172-3DL V3
SKiiP1803GB172-3DW V3
SKiiP2013GB172-4DL V3
SKiiP2013GB172-4DW V3
SKiiP2403GB172-4DL V3
SKiiP2403GB172-4DW V3
SKiiP2013GB172-4DK0376
SKiiP2013GB172-4DK0255
SKiiP1814GB17E4-3DUL
SKiiP1814GB17E4-3DUW
SKiiP2414GB17E4-4DUL

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2X SKIIP2414GB17E4-4DUK1273
SKIIP2414GB17E4-4DUK1171
SKIIP2414GB17E4-4DUK310
SKiiP2414GB17E4-4DW
SKiiP3614GB17E4-6DUL
SKiiP3614GB17E4-6DUW
SKiiP3614GB17E4-6DULR

SKIIP2414GB17E4-4DUL

SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVW V2
SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVL V2
SKiiP 2414 GB1 7E4-4DUHP

SKiIP 2414 GB17E4-4DUHP323

产品参数

Part Number20603226
Product StatusIn production
HousingSKiiP4 (360x215x152)
Options
F=F-Option
U=U-Option
S=SKiFace
Adapter
F,S
SwitchesHalf Bridge
VCES in V1700
ICnom in A2400
TechnologyIGBT 4 (Trench)



 

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见; 北京京诚宏泰科技有限公司销售供应供应赛米控IGBT模块SKIIP2413GB123-4DK1277
IGBT是能源变换与传输的器件,俗称电力电子装置的“CPU",

SKiiP? 产品特点





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型号/规格

SKIIP2413GB123-4DK1277

品牌/商标

SEMIKRON(西门康)

环保类别

无铅环保型

电压

1700v

电流

2400a