供应IGBT驱动板DW.QD005-V12A6-F 1.2A

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DW.QD005-V12A6/9-F
DW.MK006-V12A6-F
DW.QD005-V12A6-F 1.2A
DW.MK006-V12A6-I 1.2A

1 IGBT 门极驱动要求

1.1 栅极驱动电压

因 IGBT 栅极 - 发射极阻抗大，故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动，但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大，所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。图 1 是一个典型的例子。在 %2B20 ℃情况下，实测 60 A ， 1200 V 以下的 IGBT 开通电压阀值为 5 ~ 6 V ，在实际使用时，为获得导通压降，应选取 Ugc ≥ (1.5 ~ 3)Uge(th) ，当 Uge 增加时，导通时集射电压 Uce 将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中 Uge 增加，集电极电流 Ic 也将随之增加，使得 IGBT 能承受短路损坏的脉宽变窄，因此 Ugc 的选择不应太大，这足以使 IGBT 完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力 ( 在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用 IGBT 时， %2BUge 在满足要求的情况下尽量选取值，以提高其耐短路能力 ) 。

1.2 对电源的要求
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对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于 IGBT 是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使 IGBT 迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止 IGBT 关断时产生的 du/dt 误使 IGBT 导通，应加上一个 -5 V 的关栅电压，以确保其完全可靠的关断 ( 过大的反向电压会造成 IGBT 栅射反向击穿，一般为 -2 ~ 10 V 之间 ) 。
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1.3 对驱动波形的要求
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