双P沟道-12V -2.0A功率MOSFETlOutline数据表VDSSRDS （ ON）（ MAX 。 ）IDPDlFeatures1 ）低导 - 性。-12V105mW-2A1.25WTSMT6(6)(5)(4)(1)(2)(3)lInner电路（1） Tr1的栅极（2） Tr2的源（3） Tr2的栅（ 4 ） Tr2的漏（ 5 ） Tr1的源代码（ 6 ） Tr1的漏2 ）内置G -S保护二极管。3 ）小型表面贴装封装（ TSMT6 ） 。4）无铅镀铅;符合RoHS标准*1ESD保护二极管*2体二极管lPackaging特定网络阳离子包装lApplicationDC / DC转换器TYPE卷尺寸（mm ）胶带宽度（mm）基本订购单位（个）大坪码记号lAbsolute最大额定值（Ta= 25°C)<It对于Tr1和Tr2>相同评级参数漏 - 源极电压连续漏电流漏电流脉冲栅 - 源电压功耗结温储存温度范围符号VDSSID *1ID，脉冲VGSSPD *3PD *4TjT英镑*2TAPING18083,000TRJ11价值-1228101.250.6150-55to+150单位VAAVWW°C°C
