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硅外延平面型对于恒压/对于浪涌吸收电路DZ2J100在SSMini2型封装特点齐纳电流I的优异特性上涨z低齐纳二极管的工作电阻RZ无卤/符合RoHS标准(欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL : Level 1标准)单位:mm标记符号:NJ , NU包装DZ2S100 × 0L浮雕式(热压密封) : 3 000个/卷(标准)1 :阴极2 :阳极松下JEITACODESSMini2-F5-BSC-79SOD-523绝对最大额定值Ta= 25°C参数重复峰值正向电流总功耗*1静电放电*2结温储存温度符号IFRMPTESDTjT英镑等级200150±8150-55到+150单位mAmWkV°C°C注)* 1 :安装在玻璃环氧树脂印刷电路板。 ( 45毫米×45 mm×1 mm)焊料( 0.8毫米×0.6 mm)* 2 :测试方法: IEC61000-4-2 ( C = 150 pF的, R = 330Ω,接触放电: 10次)通用电气特性Ta= 25°C±3°C参数正向电压齐纳电压*1, 2, 4齐纳营业性齐纳升经营性反向电流齐纳电压的温度COEF网络cient*3符号VFVZRZRZKIRSZIF= 10毫安IZ= 5毫安IZ= 5毫安IZ- 0.5毫安VR= 7 VIZ= 5毫安7.29.50条件民典型值最大1.010.5030600.05单位VVΩΩmA毫伏/°C的注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。输入和输出的2.绝对频率为5MHz 。3. * 1:温度必须控制在25 ℃的VZ测量。 VZ在其它温度测量值必须被调整到VZ(25°C)*2 : VZ目前溢流后,保证20毫秒。*3 : Tj= 25 ℃至150 ℃的* 4 :等级分类网络阳离子CODE秩VZ标记符号MM9.75到10.25NU0无秩9.50到10.50NJ
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