SIHB22N60ET1-GE3

E系列功率MOSFET产品概述VDS（五）在TJ马克斯。RDS （ ON）最大。在25℃ （  ）Qg最大。 （ NC ）Qgs（ NC ）Qgd（ NC ）CON组fi gurationVGS= 10 V861426单身D特点6500.18D2PAK （ TO-263 ）•无卤符合IEC 61249-2-21德网络nition•低图-的品质因数（ FOM ）RonX Qg•低输入电容（C国际空间站)•降低开关和传导损耗•超低栅极电荷（Qg)•额定雪崩能量（ UIS）•符合RoHS指令2002/95 / EC应用G克eSSN沟道MOSFET服务器和电信电源开关模式电源（ SMPS ）功率因数校正电源供应器（ PFC ）灯光- 高强度放电（ HID ）- 荧光灯镇流器照明=工业- 焊接- 感应加热- 电机驱动器- 电池充电器- 可再生能源- 太阳能（光伏逆变器）••••订购信息包铅（ Pb），且无卤D2PAK （ TO-263 ）SiHB22N60E-GE3绝对最大额定值(TC= 25 ℃，除非另有说明）参数漏源电压栅源电压栅源电压AC （F > 1赫兹）连续漏电流（TJ= 150 °C)漏电流脉冲a线性降额因子单脉冲雪崩能量b最大功率耗散工作结存储温度范围漏源电压斜率反向二极管的dv / dtd焊接建议（峰值温度）10秒笔记一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。B 。 VDD= 50 V ，起始物为J= 25 ° C，L = 28.2 mH的，Rg= 25,IAS= 5.1 A.Ç 。 1.6毫米的情况。D.我SDID，的di / dt = 100 A / μs的，起始物为J= 25 °C.