NGTB25N120FLWG原装 NGTB25N120FL3WG

NGTB25N120FL3WG 原装 NGTB25N120FL3WG 正品 NGTB25N120FL3WG  ON专营

制造商: ON Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:  详细信息  

技术: Si

封装 / 箱体: TO247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV

集电极—射极饱和电压: 1.7 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 100 A

Pd-功率耗散: 349 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

封装: Tube

商标: ON Semiconductor  

栅极—射极漏泄电流: 200 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 30  

子类别: IGBTs  

单位重量: 4.083 g