CSD19534Q5A TI 功率金属氧化物半导体 贴片SON8 场效应晶体管
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 产品属性 | 属性值 | 搜索类似 |
|---|---|---|
| Texas Instruments | ||
| MOSFET | ||
| RoHS: | 详细信息 | |
| Si | ||
| SMD/SMT | ||
| VSONP-8 | ||
| N-Channel | ||
| 1 Channel | ||
| 100 V | ||
| 50 A | ||
| 15.1 mOhms | ||
| - 20 V, + 20 V | ||
| 2.4 V | ||
| 17 nC | ||
| 小工作温度 | - 55 C | |
| + 150 C | ||
| 63 W | ||
| Enhancement | ||
| NexFET | ||
| Cut Tape | ||
| MouseReel | ||
| Reel | ||
| 配置: | Single | |
| 高度: | 1 mm | |
| 长度: | 6 mm | |
| 系列: | CSD19534Q5A | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 宽度: | 4.9 mm | |
| 商标: | Texas Instruments | |
| 正向跨导 - 最小值: | 47 S | |
| 下降时间: | 6 ns | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 14 ns | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 典型关闭延迟时间: | 20 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 9 ns | |
| 单位重量: | 250 mg |
CSD19534Q5A
TI
SON8
18+
