AP2305AGN 沟道 -30V -5.6A MOS(场效应管)

Electrical Characteristics@T

j

=25

o

C(unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

BV

DSS

Drain-Source Breakdown Voltage

V

GS

=0V, I

D

=-250uA

-30

-

-

V

Δ

B

V

DSS

/

Δ

T

j

Breakdown Voltage Temperature Coefficient

Reference to 25

℃

, I

D

=-1mA

-

-0.1

-

V/

℃

R

DS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance

V

GS

=-10V, I

D

=-3.2A

-

-

60

m

Ω

V

GS

=-4.5V, I

D

=-3.0A

-

-

80

m

Ω

V

GS

=-2.5V, I

D

=-2.0A

-

-

150

m

Ω

V

GS

=-1.8V, I

D

=-1.0A

-

-

250

m

Ω

V

GS(th)

Gate Threshold Voltage

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

-0.5

-

-1.2

V

g

fs

Forward Transconductance

V

DS

=-5V, I

D

=-3.0A

-

9

-

S

I

DSS

Drain-Source Leakage Current (T

j

=25

o

C)

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

-

-

-1

uA

Drain-Source Leakage Current (T

j

=70

o

C)

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

-

-

-25

uA

I

GSS

Gate-Source  Leakage

V

GS

=

-

-

nA

Q

g

Total Gate Charge

2

I

D

=-3.2A

-

10

18

nC

Q

gs

Gate-Source Charge

V

DS

=-24V

-

1.8

-

nC

Q

gd

Gate-Drain ("Miller") Charge

V

GS

=-4.5V

-

3.6

-

nC

t

d(on)

Turn-on Delay Time

2

V

DS

=-15V

-

7

-

ns

t

r

Rise Time

I

D

=-3.2A

-

15

-

ns

t

d(off)

Turn-off Delay Time

R

G

=3.3

Ω

,

V

GS

=-10V

-

21

-

ns

t

f

Fall Time

R

D

=4.6

Ω

-

15

-

ns

C

iss

Input Capacitance

V

GS

=0V

-

735

1325

pF

C

oss

Output Capacitance

V

DS

=-25V

-

100

-

pF

C

rss

Reverse Transfer Capacitance

f=1.0MHz

-

80

-

pF

Source-Drain Diode

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

V

SD

Forward On Voltage

2

I

S

=-1.2A, V

GS

=0V

-

-

-1.2

V

trr

Reverse Recovery Time

I

S

=-3.2A, V

GS

=0V,

-

24

-

ns

Qrr

Reverse Recovery Charge

dI/dt=100A/μs

-

19

-

nC