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IS62WV51216BLL 概述
ISSI的IS62WV51216BLL是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率,低功耗静态随机存取存储器。IS62WV51216BLL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术,造就了这款高性能,低功耗的器件。
当/CS1处于高电平或CS2处于低电平(未选中)时,或者/CS1处于低电平,CS2处于高电平并且/LB和/UB都为高时,IS62WV51216BLL进入待机模式。在此模式下,功耗可降低至CMOS输入标准。
使用IS62WV51216BLL的片选引脚和输出使能引脚,可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚(/WE)将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位(/UB)存取和低位(/LB)存取。
IS62WV51216BLL 参数
IS62WV51216BLL基本参数
容量 8M(512K*16)
速率 45ns,55ns
工作功耗 36mW
电压 2.5V--3.6V
IS62WV51216BLL封装与引脚
MBGA 48PIN
TSOP2 44PIN
IS62WV51216BLL接口类型
串行
并行 √
IS62WV51216BLL 特性
IS62WV51216BLL 主要特性如下:
高速率
存取时间:45ns,55ns
全静态操作:不需时钟或刷新
输入输出兼容TTL标准
独立供电:2.5V--3.6V Vdd
三态输出
高字节数据和低字节数据可分别控制
低功耗操作
CMOS低功耗操作
— 12μW(典型值)CMOS待机模式
— 36mW(典型值)操作功耗
工业标准
无铅环保
可选工业级温度
MBGA48,TSOP2-44封装
供应CYPRESS131,072*8位字长的高性能CMOS静态RAM CY62128BLL-70SXI
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