三星SAMSUNG 268,435,456 bits高速SDRAM K4S561632E

K4S561632E是一款268,435,456 bits高速SDRAM。K4S561632E采用三星电子的高性能CMOS工艺制造，其组织结构为4x4,194,304字，16bits位宽。K4S561632E的同步设计，再配合系统时钟I/O事务，使得每个时钟周期里的精细周期控制成为可能。工作频率范围、可编程突发长度、加上可编程潜伏期，这些特性让同样的K4S561632E器件得以适应许多的要求高带宽、高性能的存储系统应用。

产品简介

K4S561632E-TC75, 高速SDRAM, 256Mb, E-die, x16

型号标识 / 参数

K4S561632E-TC75的型号标识和参数如下表所示：
K4S561632E-TC75 的型号标识
K SAMSUNG 存储器
4 DRAM
S 产品系列，SDRAM
56 容量&刷新，256Mb, 8K/64ms
16 位宽，16bits
3 4 Banks(1)
2 接口，LVTTL
E 版本号，第6代
T 封装类型，TSOP2
C 商业级温度，普通功耗
75 7.5ns (133MHz@CL=3)
K4S561632E-TC75 其他参数
工作电压 3.3 V
容量 256 Mb
位宽 16 bits
温度等级 0℃～70℃
(1)2: 2 Banks; 3: 4 Banks
封装信息

K4S561632E-TC75的封装为：
类型：TSOP2
引脚：54
尺寸：400mil x 875mil
引脚间距：0.8 mm

包装规格

K4S561632E-TC75的包装为：
类型一：Tray（托盘装）
每盘：96 pcs
每包：10 盘；960 pcs
总共：6 包；5,760 pcs
类型二：Tape&Reel（卷带装）
每盘：2,000 pcs
总共：5 盘；10,000 pcS

供应三星SAMSUNG 268,435,456 bits高速SDRAM K4S561632E