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产品属性
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LMV722QDGKRQ1 器件是一种低噪声、低电压运算放大器 (op amp),应用范围广泛。 LMV722QDGKRQ1 具有 10MHz 的单位增益带宽,5.25V/μs 压摆率,良好的电压和电流噪声性能。
LMV722QDGKRQ1 能够在音频信号路径或电机控制应用等低电压和低噪声系统中提供优质性能。 该器件在重负荷中提供轨到轨输出摆幅。输入共模电压范围包括地面,器件的最大输入失调电压为 3.5mV(超过推荐的温度范围)。在低电源电压下,电容负载能力也较好。工作范围从 2.2V 到 5.5V。
制造商: Texas Instruments
安装风格: SMD/SMT
电源电压-最大: 5.5 V
每个通道的输出电流: 52.6 mA
通道数量: 2 Channel
GBP-增益带宽产品: 10 MHz
SR - 转换速率 : 4.9 V/us
CMRR - 共模抑制比: 64 dB to 88 dB
Ib - 输入偏流: 260 nA
Vos - 输入偏置电压 : 3 mV
电源电压-最小: 2.2 V
工作电源电流: 2.01 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
关闭: No Shutdown
系列: LMV722-Q1
封装: Cut Tape
封装: Reel
产品: Operational Amplifiers
商标: Texas Instruments
THD + 噪声: 0.001 %
开发套件: OPAMPEVM
en - 输入电压噪声密度: 10.5 nV/sqrt Hz
In—输入噪声电流密度: 0.2 pA/sqrt Hz
Ios - 输入偏置电流 : 25 nA
PSRR - 电源抑制比: 90 dB
包装数量: 2500
单位重量: 20 mg
LMV722-Q1 VSSOP 3.00 mm × 3.00 mm
LMV722QDGKRQ1特性
符合汽车应用 要求
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
器件环境工作温度:
–40°C 到 +125°C
器件 HBM ESD 分类等级 2
器件 CDM ESD 分类等级 C1
电源电压范围:2.2V 到 5.5V
低电源电流:905 μA/2.2V 下放大器
高单位增益带宽:10MHz
轨至轨输出摆幅
600Ω 负载:120mV 来自任一轨,2.2V 下
2kΩ 负载:50mV 来自任一轨,2.2V 下
输入共模电压范围包括接地
输入电压噪声:10.5 nV/√Hz,f = 1kHz 时
LMV722QDGKRQ1
Texas
VSSOP-8
18+
运算放大器
8000 PCS