MOS管供应CSD18502Q5BT

器件CSD18502Q5B 40V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET 1 1 特性 1? 超低 Qg 和 Qgd ? 低热阻 ? 雪崩额定值 ? 逻辑电平 ? 无铅引脚镀层 ? 符合 RoHS 环保标准 ? 无卤素 ? 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装 2 应用 ? 直流 - 直流转换 ? 次级侧同步整流器 ? 电机控制 3 说明 此 40V、1.8mΩ、5mm × 6mmNexFET?功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。CSD18502Q5B

CSD18502Q5BT

CSD18502Q5B产品概要 TA = 25°C 典型值 单位 VDS 漏源电压 40 V Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 25 nC Qgd 栅漏栅极电荷 8.4 nC RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 2.5 mΩ VGS = 10V 1.8 mΩ VGS(th) 阈值电压 1.8 V 订购信息(1) 器件 数量 包装介质 封装 运输 CSD18502Q5B 2500 13 英寸卷带 SON 5mm × 6mm 塑料封装 卷带封装 CSD18502Q5BT 250 7 英寸卷带 (1) 要了解所有可用封装，请参见数据表末尾的可订购产品附录。 

大额定值 TA = 25°C 值 单位 VDS 漏源电压 40 V VGS 栅源电压 ±20 V ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 204 持续漏极电流(1) 26 IDM 脉冲漏极电流(2) 400 A PD 功率耗散(1) 3.2 W 功率损耗，TC = 25°C 156 TJ 工作结温 -55 至 150 °C Tstg 存储温度 -55 至 150 °C EAS 雪崩能量，单一脉冲 ID = 88A，L = 0.1mH，RG = 25? 387 mJ (1) RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷 电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜焊盘上测得的典型值。 (2) 大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%CSD18502Q5BT

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器件CSD18502Q5B 40V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET 1 1 特性 1? 超低 Qg 和 Qgd ? 低热阻 ? 雪崩额定值 ? 逻辑电平 ? 无铅引脚镀层 ? 符合 RoHS 环保标准 ? 无卤素 ? 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装 2 应用 ? 直流 - 直流转换 ? 次级侧同步整流器 ? 电机控制 3 说明 此 40V、1.8mΩ、5mm × 6mmNexFET?功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。CSD18502Q5B