硅四象限探测器(波长400-1100nm):
主要应用:太阳能跟踪器,激光制导,光电对中,激光测量等。
型号
|
受光面积
|
间隙尺寸
um
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响应波段nm
|
芯片
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封装
|
尺寸
mm
|
面积
mm2?
|
DP3.22-6
|
TO5
|
1.4x2.3
|
3.22
|
50
|
400-1100
|
QP1-6
|
TO5
|
Φ1.13
|
1.00
|
16
|
400-1100
|
QP2-6
|
TO5
|
Φ1.60
|
2.00
|
20
|
400-1100
|
QP5-6
|
TO5
|
Φ2.52
|
5.00
|
24
|
400-1100
|
QP5.8-6
|
TO5
|
2.40x2.40
|
5.80
|
50
|
400-1100
|
QP10-6
|
TO8S
|
Φ3.57
|
10.00
|
28
|
400-1100
|
QP20-6
|
TO8S
|
Φ5.05
|
20.00
|
34
|
400-1100
|
QP50-6
|
TO8S
|
Φ7.80
|
50.00
|
42
|
400-1100
|
QP100-6
|
U1
|
Φ11.20
|
100.00
|
50
|
400-1100
|
TQD586T5
|
TO5
|
2.4 x 2.4
|
5.76
|
50
|
350-1100
|
QP154-Q
|
TO1032
|
Φ14.0
|
154.00
|
100
|
850-1100
|
QP50-Q
|
TO1032
|
Φ7.98
|
50
|
70
|
850-1100
|
PDA33
|
U1
|
6x6
|
36
|
100
|
400-1100
|
PDA43
|
U1
|
8.6x8.6
|
73.96
|
100
|
400-1100
|
InGaAs四象限探测器(波长800-1700nm)
型号
|
受光面积直径
|
象限缝隙
|
灵敏度1310nm
|
灵敏度 1550nm
|
暗电流
|
结电容
|
上升时间
|
串扰
|
反偏电压
|
Q1000
|
1000μm
|
0.045 mm
|
0.9 A/W
|
0.95 A/W
|
0.5 nA
Vr = 5.0V
|
25 pF
|
3ns
Vr = 5.0V
|
1 max
λ =1550nm Vr=5.0V
|
15 V max
|
Q3000
|
3000μm
|
0.045 mm
|
0.9 A/W
|
0.95 A/W
|
2 nA
Vr = 5.0V
|
225 pF
|
24 ns
Vr = 5.0V
|
1 max
λ =1550nm Vr=5.0V
|
10 V max
|
Series Q: 1064 nm YAG 增强四象限探测器
型号
|
受光面积
|
间隙
μm
|
暗电流 nA @ 150V, 23°C
|
上升时间
ns @ 150V, 1064nm
|
|
QP100-Q-SM
|
10.0 x 10.0
|
100
|
50
|
20
|
6
|
QP154-Q-TO1032
|
?14.0
|
154
|
100
|
20
|
6
|
APD 四象限探测器
型号
|
受光面积
|
间隙
μm
|
暗电流 nA @ M=100, 23°C
|
上升时间
ns @ 150V, 1064nm
|
|
QA4000-9
|
Ø4(12.56)
|
110
|
4
|
2
|
6
|
QA4000-10
|
Ø4(12.56)
|
154
|
6
|
6
|
6
|
IGQ1000-SPB
|
Ø1(7.85)
|
100
|
6
|
10
|
10
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通孔四象限探测器
型号:OSQ16-THD,波长:400-1100nm,受光面积和通孔直径可选,
另有内置放大电路四象限探测器,自然光敏感四象限探测器,紫外光敏感四象限探测器,宽温度范围四象限探测系列,四象限探测器应用电路板等,
四象限探测器模块系列
型号:OSQ16-SD2
型号:OSQ50-SD2
n
型号:OSQ20-SD2
型号:OSQ100-SD2
四象限放大模块OSM50-IT
(InGaAs APD四象限放大板,兼容连续光和脉冲光探测)
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