原装CGHV40030F频射晶体管科锐Cree代理

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 30W GaN Gain 16dB typ.

制造商: Cree, Inc. 
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
晶体管类型: HEMT 
技术: GaN SiC 
增益: 16 dB 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100 V 
Vgs-栅源极击穿电压 : 2.6 V 
Id-连续漏极电流: 4.2 A 
输出功率: 30 W 
最大漏极/栅极电压: - 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: - 
安装风格: Screw 
封装 / 箱体: 440166 
封装: Tray 
应用: - 
商标: Wolfspeed / Cree 
类: - 
配置: Single 
开发套件: CGHV40030-TB1 
正向跨导 - 最小值: - 
闸/源截止电压: - 10 V to + 2 V 
最小工作温度: - 40 C 
NF—噪声系数: - 
工作频率: 0.96 GHz to 1.4 GHz 
工作温度范围: - 40 C to + 150 C 
P1dB - 压缩点: - 
Rds On-漏源导通电阻: - 
工厂包装数量: 100 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V