原装CGHV59350F频射晶体管科锐Cree代理

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 5.2-5.9GHz 350 Watt Gain typ. 10.5dB GaN

制造商: Cree, Inc. 
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
晶体管类型: HEMT 
增益: 11 dB 
Vds-漏源极击穿电压: 125 V 
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V 
输出功率: 450 W 
最大工作温度: + 85 C 
安装风格: SMD/SMT 
封装: Tray 
商标: Wolfspeed / Cree 
最小工作温度: - 40 C 
工作频率: 5900 MHz 
工作温度范围: - 40 C to + 85 C 
工厂包装数量: 15 
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V