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产品属性
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V 6W Gain 11.8dB GaN HEMT
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 13 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to + 2 V
Id-连续漏极电流: 0.75 A
输出功率: 6.9 W
最大漏极/栅极电压: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: -
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-6
封装: Reel
应用: -
商标: Wolfspeed / Cree
类: -
配置: Single
开发套件: CGH40006S-KIT
正向跨导 - 最小值: -
闸/源截止电压: -
最小工作温度: - 40 C
NF—噪声系数: -
工作频率: 2 GHz to 6 GHz
工作温度范围: -
P1dB - 压缩点: -
Rds On-漏源导通电阻: -
工厂包装数量: 200
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
Cree, Inc.
+ 150 C
- 40 C
Single