霍尼韦尔HRF-SW1021是一个高性能单刀四掷（SP4T）吸收力的RF开关，最适合用于要求低功率和最小插入损耗的无线基站和手机的应用场合。HRF-SW1021是用霍尼韦尔的专利绝缘体上硅(SOI)CMOS生产技术，具有GaAs的性能，也具有传统CMOS的经济性和集成能力。这些开关通过DC耦合，改善了较低操作频率、频率响应，并减少了所需要的DC偏压点的数量。 

HRF-SW1021霍尼韦尔RF无线传感器优势特点

• 典型的高隔离,在2GHz时>42dB
• 典型的低插入损耗,在1GHz时为1.2dB
• 集成CMOS控制器逻辑
• DC耦合、双向RF路径
• 单正极供电电压
• 超小VQFN封装件
• 75Ω系统的阻抗匹配
• 型号：HRF-SW1021
• 霍尼韦尔HRF-SW1021是一个高性能单刀四掷（SP4T）吸收力的RF开关，最适合用于要求低功率和最小插入损耗的无线基站和手机的应用场合。HRF-SW1021是用霍尼韦尔的专利绝缘体上硅(SOI)CMOS生产技术，具有GaAs的性能，也具有传统CMOS的经济性和集成能力。这些开关通过DC耦合，改善了较低操作频率、频率响应，并减少了所需要的DC偏压点的数量。 

  HRF-SW1021霍尼韦尔RF无线传感器优势特点

• 典型的高隔离,在2GHz时>42dB
• 典型的低插入损耗,在1GHz时为1.2dB
• 集成CMOS控制器逻辑
• DC耦合、双向RF路径
• 单正极供电电压
• 超小VQFN封装件
• 75Ω系统的阻抗匹配