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原装ST意法 BD139 TO-126 三极管

地区：广东深圳

认证：

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原装ST意法 BD139 TO-126 三极管

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

详细信息

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

SOT-32-3

晶体管极性:

NPN

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

80 V

集电极—基极电压 VCBO:

80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

5 V

集电极—射极饱和电压:

0.5 V

最大直流电集电极电流:

1.5 A

Pd-功率耗散:

12.5 W

最小工作温度:

- 65 C

最大工作温度:

+ 150 C

系列:

BD139

直流电流增益 hFE 最大值:

250

高度:

10.8 mm

长度:

7.8 mm

技术:

Si

宽度:

2.7 mm

商标:

STMicroelectronics

集电极连续电流:

1.5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:

40

产品类型:

BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:

2000

子类别:

Transistors

单位重量:

60 mg

原装ST意法 BD139 TO-126 三极管

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS: 详细信息

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: SOT-32-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V

集电极—基极电压 VCBO: 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 0.5 V

最大直流电集电极电流: 1.5 A

Pd-功率耗散: 12.5 W

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: BD139

直流电流增益 hFE 最大值: 250

高度: 10.8 mm

长度: 7.8 mm

技术: Si

宽度: 2.7 mm

商标: STMicroelectronics

集电极连续电流: 1.5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 40

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量: 2000

子类别: Transistors

单位重量: 60 mg

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

详细信息

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

SOT-32-3

晶体管极性:

NPN

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

80 V

集电极—基极电压 VCBO:

80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

5 V

集电极—射极饱和电压:

0.5 V

最大直流电集电极电流:

1.5 A

Pd-功率耗散:

12.5 W

最小工作温度:

- 65 C

最大工作温度:

+ 150 C

系列:

BD139

直流电流增益 hFE 最大值:

250

高度:

10.8 mm

长度:

7.8 mm

技术:

Si

宽度:

2.7 mm

商标:

STMicroelectronics

集电极连续电流:

1.5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:

40

产品类型:

BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:

2000

子类别:

Transistors

单位重量:

60 mg