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达林顿晶体管TIP122 TO-220 原装ST意法

地区：广东深圳

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达林顿晶体管TIP122 TO-220 原装ST意法

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

达林顿晶体管

RoHS:

详细信息

配置:

Single

晶体管极性:

NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:

100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

5 V

集电极—基极电压 VCBO:

100 V

最大直流电集电极电流:

5 A

最大集电极截止电流:

200 uA

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

最大工作温度:

+ 150 C

系列:

TIP122

高度:

9.15 mm

长度:

10.4 mm

宽度:

4.6 mm

商标:

STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min:

1000

产品类型:

Darlington Transistors

工厂包装数量:

1000

子类别:

Transistors

单位重量:

6 g

达林顿晶体管TIP122 TO-220 原装ST意法

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 达林顿晶体管

RoHS: 详细信息

配置: Single

晶体管极性: NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—基极电压 VCBO: 100 V

最大直流电集电极电流: 5 A

最大集电极截止电流: 200 uA

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

最大工作温度: + 150 C

系列: TIP122

高度: 9.15 mm

长度: 10.4 mm

宽度: 4.6 mm

商标: STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min: 1000

产品类型: Darlington Transistors

工厂包装数量: 1000

子类别: Transistors

单位重量: 6 g

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

达林顿晶体管

RoHS:

详细信息

配置:

Single

晶体管极性:

NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:

100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

5 V

集电极—基极电压 VCBO:

100 V

最大直流电集电极电流:

5 A

最大集电极截止电流:

200 uA

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

最大工作温度:

+ 150 C

系列:

TIP122

高度:

9.15 mm

长度:

10.4 mm

宽度:

4.6 mm

商标:

STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min:

1000

产品类型:

Darlington Transistors

工厂包装数量:

1000

子类别:

Transistors

单位重量:

6 g