双极晶体管MJD3055T4G样品

制造商编号：MJD3055T4G

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V

集电极—基极电压 VCBO: 70 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 1.1 V

最大直流电集电极电流: 10 A

Pd-功率耗散: 20 W

增益带宽产品fT: 2 MHz

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MJD3055

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

直流电流增益 hFE 最大值: 100  

高度: 2.4 mm  

长度: 6.6 mm  

技术: Si  

宽度: 6.2 mm  

商标: STMicroelectronics  

集电极连续电流: 10 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 20  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Transistors  

单位重量: 1.800 g