ON晶体管MJD2955T4G样品

制造商编号：MJD2955T4G

制造商: ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V

集电极—基极电压 VCBO: 70 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 1.1 V

最大直流电集电极电流: 10 A

Pd-功率耗散: 20 W

增益带宽产品fT: 2 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MJD2955

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.38 mm  

长度: 6.73 mm  

技术: Si  

宽度: 6.22 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 10 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 20  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Transistors  

单位重量: 351 mg