晶体管STQ1HNK60R-AP TO-92 集成电路

地区:广东 深圳
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制造商编号:STQ1HNK60R-AP
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
配置: Single 
高度: 4.95 mm 
长度: 4.95 mm 
系列: STQ1HNK60R 
晶体管类型: 1 N-Channel 
宽度: 3.94 mm 
商标: STMicroelectronics 
下降时间: 25 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 5 ns 
工厂包装数量: 2000 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 19 ns 
典型接通延迟时间: 6.5 ns 
单位重量: 220 mg 

品牌

ST

型号

STQ1HNK60R-AP

类型

稳压IC

功率

1

封装

TO-92

批号

16+

特色服务

1

产品说明

1

货号

1

是否跨境货源