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供应存储芯片 H27UBG8T2BTR， H27UBG8T2BTR-BC原装现货

地区：广东 深圳
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深圳市桑尼奇科技有限公司

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    H27UBG8T2BTR-BC是一个单3.3V  32Gbit_NAND闪存。它包含在一个单一模具的2个平面。每个平面是由1024个块组成。每个块包含256个可编程的页面。每一页包含8832字节。页被分为一个8192字节主数据存储区，一个备用640字节区。

可在典型的1300μ进行页编程操作，以及在典型的3.5ms可进行单一块可擦除。


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