供应DDR内存芯片NT5CB256M8GN-CG，NT5CB256M8GN-CG原装现货

      NT5CB256M8GN-CG是南亚（NANYA）公司推出的一款2GB DDR3 同步动态RAM,该芯片除按照DDR3 DRAM特性进行设计外，所有的控制及地址输入都能与外部提供的时钟保持同步。在一般应用程序数据传输中，其DDR传输速率可高达1600Mb/sec/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。

NT5CB256M8GN-CG的主要功能特性包括：

1.VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC标准电源)  2.VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (向后兼容的VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V)

3.8内存序列(BA0- BA2)                                   4.差分时钟输入

5.可编程延迟（）：5, 6, 7, 8, 9, 10, 11            6.写入延迟（CWL）：5，6，7，8，9

7.在CAS添加可编程附加延迟（Al）： 0, CL-1, CL-2时钟  8.可编程顺序/交错突发式ZQ引脚 (RZQ:240 ohm±1%)

9.可编程的突发长度：4, 8                               10.8N位预取架构

11.输出驱动的阻抗控制                                   12.差动双向数据选通

13.内部（自我）校准：内部自校准                     14.OCD 校准 

15.动态 ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)                   16.自动刷新

17.自刷新温度                                                18.符合RoHS和无卤

19.封装：78-Balls BGA for x4, x8 components

      建议零售价格仅用于预算，以元为单位，并且价格是浮动的。 若要查询有关批量价格、本地货币价格或交付报价的信息，请与公司联系。