IGBT 突波吸收电容
低等效串联电阻 低等效串联电感 可承受*高的du/dt 额定电压: 700 to 3000 Vdc 电容量: 0.0047 - 5.6μF
*比，广泛应用于电机驱动、牵引、混合动力车、逆变焊机、太阳能/风力发电等行业的“across-the-bus”功率线路设计。 用途：主要用于吸收开关器件的**吸收。 常规额定参数 容量/公差 Cn=1.0uF±5% 额定电压 Un=1200VDC 可重复浪涌电压 Us≤1800VDC 不可重复浪涌电压 U*ax2000VDC dv/dt≤1000V/us 工作温度：- 25°C~ 85°C 工艺 额定电流 In=18A *大浪涌峰值电流 Is≤100A 自感 Ls≤10nH 介质损耗 tanδ0≤2.0*10-4 产品损耗 tanδ≤2.0*10-4（1kHz） ≤5.0*10-4（10kHz） 自愈式金属化膜电容器 干式结构, * PCB 外形及外形尺寸
