供应 ADI/亚德诺半导体 ADR431BRZ 参考电压 2.5V 原装现货

参考电压 2.5V  ADR431BRZ  特点：

低噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ） ： 3.5 μV峰峰值@ 2.5 V输出

无需外部电容

低温COEF网络cient

A级： 10 PPM / ° C最大值

B级：为3 ppm / ° C最大值

负载调整率： 15 PPM / MA

线路调整率： 20 PPM / V

宽工作范围

ADR430 ： 4.1 V至18 V

ADR431 ： 4.5 V至18 V

ADR433 ： 5.0 V至18 V

ADR434 ： 6.1 V至18 V

ADR435 ： 7.0 V至18 V

ADR439 ： 6.5 V至18 V

高输出电流： 30毫安/ -20毫安

使用温度范围广：

−40°C至+ 125°C

参考电压 2.5V  ADR431BRZ  应用：

· 精密数据采集系统

· 高分辨率数据转换器

· 医疗器械

· 工业过程控制系统

· 光控制电路

· 精密仪器

参考电压 2.5V  ADR431BRZ  概述：

· 该电压源ADR43x系列是一个家庭的XFET基准电压源

· 具有低噪声，高精度和低温度漂移

· 性能。利用ADI公司拥有专利权的温度漂移曲率

· 校正和XFET （额外注入结型场效应管）技术，

· 该电压源ADR43x的电压变化与温度的非线性是最小化。

· 该XFET引用在较低的功耗（800 μA ）和操作

· 电源裕量（ 2 V ），比埋齐纳参考。 Buried-

· 齐纳参考需要5 V以上的裕量进行操作。

· 该电压源ADR43x XFET基准是唯一的低噪声解决方案

· 5 V系统。

· 该电压源ADR43x系列有能力提供高达30毫安

· 和吸收高达20 mA的输出电流。它还配备了一个

· TRIM终端来调整输出电压在0.5％范围内

· 而不会影响性能。该电压源ADR43x可用

· 在8引脚的迷你型SOIC和8引脚SOIC封装。