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全国包邮 Infineon Technologies MOSFET IRFZ44NPBF

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今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件

产品种类:

MOSFET

制造商:

Infineon

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

55 V

Id-连续漏极电流:

41 A

Rds On-漏源导通电阻:

23 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

20 V

Qg-栅极电荷:

42 nC

配置:

Single

封装:

Tube

商标:

Infineon Technologies

高度:

15.65 mm

长度:

10 mm

Pd-功率耗散:

83 W

工厂包装数量:

1000

晶体管类型:

1 N-Channel

宽度:

4.4 mm

单位重量:

6 g

单位重量

6 g

宽度

4.4 mm

晶体管类型

1 N-Channel

Pd-功率耗散

83 W

长度

10 mm

高度

15.65 mm