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厂家直销 MOSFET Toshiba 2SK3569

地区：广东 深圳
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当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是N型，那么通道也会是N型。通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变

产品种类:

MOSFET

制造商:

Toshiba

技术:

Si

封装 / 箱体:

TO-220FP-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

600 V

Id-连续漏极电流:

10 A

Rds On-漏源导通电阻:

750 mOhms

配置:

Single

商标:

Toshiba

高度:

15 mm

长度:

10 mm

系列:

2SK3569

工厂包装数量:

50

晶体管类型:

1 N-Channel

宽度:

4.5 mm

单位重量:

2 g

单位重量

2 g

宽度

4.5 mm

晶体管类型

1 N-Channel

系列

2SK3569

长度

10 mm

高度

15 mm

商标

Toshiba