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宏博通热销品 MOSFET ON Semiconductor / Fairchild FCP110N65F

地区：广东 深圳
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若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如图3所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。

由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图4所示，它的转移特性如图5所示。VP为夹断电压（ID=0）

产品种类:

MOSFET

制造商:

ON Semiconductor

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

650 V

Id-连续漏极电流:

35 A

Rds On-漏源导通电阻:

110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:

5 V

Vgs - 栅极-源极电压:

20 V, 30 V

Qg-栅极电荷:

98 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

配置:

Single

通道模式:

Enhancement

商标名:

SuperFET II FRFET

封装:

Tube

商标:

ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:

5.7 ns

正向跨导 - 最小值:

30 S

高度:

16.3 mm

长度:

10.67 mm

Pd-功率耗散:

357 W

上升时间:

21 ns

系列:

FCP110N65F

工厂包装数量:

50

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

89 ns

典型接通延迟时间:

31 ns

宽度:

4.7 mm

单位重量:

1.800 g

单位重量

1.800 g

宽度

4.7 mm

典型接通延迟时间

31 ns

典型关闭延迟时间

89 ns

晶体管类型

1 N-Channel

系列

FCP110N65F

上升时间

21 ns