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耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子,使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷,即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道,所以在VGS=0时,有VDS作用时也有一定的ID(IDSS);当VGS有电压时(可以是正电压或负电压),改变感应的负电荷数量,从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS,称为夹断电压
产品种类:
MOSFET
制造商:
Vishay
技术:
Si
封装:
Tube
商标:
Vishay Semiconductors
工厂包装数量:
500
单位重量:
38 g
38 g
Vishay Semiconductors
Tube
Si
Vishay
MOSFET