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产品属性
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产品种类: |
MOSFET |
制造商: |
Infineon |
技术: |
Si |
安装风格: |
Through Hole |
封装 / 箱体: |
TO-220-3 |
通道数量: |
1 Channel |
晶体管极性: |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: |
55 V |
Id-连续漏极电流: |
110 A |
Rds On-漏源导通电阻: |
6.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: |
20 V |
Qg-栅极电荷: |
76 nC |
最小工作温度: |
- 55 C |
封装: |
Tube |
通道模式: |
Enhancement |
商标: |
Infineon / IR |
配置: |
Single |
下降时间: |
67 ns |
高度: |
15.65 mm |
长度: |
10 mm |
Pd-功率耗散: |
170 W |
上升时间: |
95 ns |
工厂包装数量: |
3000 |
晶体管类型: |
1 N-Channel |
典型关闭延迟时间: |
45 ns |
典型接通延迟时间: |
18 ns |
宽度: |
4.4 mm |
单位重量: |
6 g |
76 nC
- 55 C
Tube
Enhancement