图文详情
产品属性
相关推荐
产品种类: |
MOSFET |
制造商: |
ON Semiconductor |
技术: |
Si |
安装风格: |
SMD/SMT |
封装 / 箱体: |
SO-8 |
通道数量: |
1 Channel |
晶体管极性: |
P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: |
- 30 V |
Id-连续漏极电流: |
- 9 A |
Rds On-漏源导通电阻: |
17 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: |
20 V |
最小工作温度: |
- 55 C |
最大工作温度: |
+ 150 C |
封装: |
Reel |
通道模式: |
Enhancement |
商标: |
ON Semiconductor / Fairchild |
配置: |
Single Quad Drain Triple Source |
下降时间: |
55 ns |
正向跨导 - 最小值: |
25 S |
高度: |
1.75 mm |
长度: |
4.9 mm |
Pd-功率耗散: |
2.5 W |
上升时间: |
15 ns |
工厂包装数量: |
2500 |
晶体管类型: |
1 P-Channel |
类型: |
MOSFET |
典型关闭延迟时间: |
100 ns |
典型接通延迟时间: |
12 ns |
宽度: |
3.9 mm |
零件号别名: |
FDS4435A_NL |
单位重量: |
85 mg |
85 mg
FDS4435A_NL
3.9 mm
12 ns
100 ns