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产品属性
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优质供应IPB025N10N3,品牌INFINEON IPB025N10N3,场效应管IPB025N10N3
产品详细说明
描述
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
RoHS
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表
IPB025N10N3 G
标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.5 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.5V @ 275μA
闸电荷(Qg) @ Vgs
206nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
14800pF @ 50V
功率 - 最大
300W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装
PG-TO263-7
包装
带卷 (TR)
其它名称
IPB025N10N3 G-NDIPB025N10N3 GTRSP
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IPB025N10N3 G
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