GLS29SF040 GLS29SF040-55-4C-NHE GLS29SF040-55-4I-W

GLS29SF040-55-4C-NHE

GLS29SF040-55-4I-WHE 512?X8的CMOS小扇区闪存（SSF）的*CMOS*闪存

华英半导体*一级渠道 邵先生/

GLS29SF040是512?X8的CMOS小扇区闪存（SSF）的*CMOS*闪存技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道喷油器获得更好的*性和可制造性与替代方法相比。这写（编程或擦除）1 4.5-5.5 V电源和设备*合JEDEC的为X8记忆标准引脚分配。

特点：

• 主办单位为256?X8 / 512K X8
• 单电压读取和写入操作
• 4.5-5.5至五为GLS29SF020/040
• 卓越的*性
  • 耐力：100,000次（典型）
  • 大于100年数据保存期
• 低功耗：
  • 工作电流：10 mA（典型）
• 待机电流：
  • 30μA（典型值）为GLS29SF020/040
• 扇区擦除功能
• 统一的128字节的扇区
• 快速读取时间：
  • 55纳秒为GLS29SF020/040
• 快速擦除和字节程序：
  • 扇区擦除时间：18毫秒（典型）
  • 芯片擦除时间：70毫秒（典型）
  • 字节节目时间：14μs（典型）