长期供应 深圳APM4953mos管 场效应管 *MOS场效管ZYD-014

地区:广东 深圳
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结型场效应管 深圳臻晔达电子科技有限公司

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     1.mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

     2.主要参数

     1).开启电压VT

     ·开启电压(又称阈值电压):使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压;

     ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;

     ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

     2). 直流输入电阻RGS

     ·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比

     ·这一特性有时以流过栅*的栅流表示

     ·MOS管的RGS可以很容易地*过1010Ω。

     3). 漏源击穿电压BVDS

     ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

     4). 栅源击穿电压BVGS

     ·在增加栅源电压过程中,使栅*电流IG由*开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

型号/规格

APM4953

材料

GE-N-FET锗N沟道

用途

L/功率放大

品牌/商标

APM/茂达

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型

货号

ZYD-014