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1.mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
2.主要参数
1).开启电压VT
·开启电压(又称阈值电压):使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压;
·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2). 直流输入电阻RGS
·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比
·这一特性有时以流过栅*的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地*过1010Ω。
3). 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
4). 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中,使栅*电流IG由*开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。
LLCC/无引线陶瓷片载
FQPF5N50C
GE-N-FET锗N沟道
L/功率放大
FAIRCHILD/*童
MOSFET N 通道,金属氧化物
结型(JFET)
耗尽型
ZYD-016