华诺星 SQS401EN-T1_GE3 VISHAY(威世)

类型SQS401EN-T1_GE3
描述
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
表面贴装型 P 通道 40 V 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
P-Channel 񆫌󳪾V 𧉗𡏛󳪾󳪾󳪾mA(TC) 񆫌񰝜񅚠V,𧉗󳪾V 󳪾񰝜󳪾𭺠񦍋Ω@𧉗𭺠󳪾󳪾󳪾mA,𧉗󳪾V 𭺠󳪾V,-𭺠󳪾V 𡏛𭺠񰝜񅚠W(TC) -񅚠񅚠°C~𧉗򴓛񅚠°C(TJ) PowerPAK-𧉗𭺠𧉗𭺠-򲃬
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
SQS401EN-T1_GE3
FET 类型
P 通道
技术 SQS401EN-T1_GE3
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（maximum Rds On，least Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（maximum）
29 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（maximum）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（maximum）
21.2 nC @ 4.5 V
Vgs（maximum）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（maximum）
1875 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（maximum）
62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
基本产品编号
SQS401EN-T1_GE3

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型号/规格

SQS401EN-T1_GE3

品牌/商标

VISHAY(威世)

封装

PowerPAK 1212-8

批号

21+

数量

3000